Vishay SQ Rugged Type N-Channel MOSFET, 8 A, 20 V Enhancement, 6-Pin TSOP SQ3460EV-T1_GE3

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787-9468
Référence fabricant:
SQ3460EV-T1_GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

8A

Maximum Drain Source Voltage Vds

20V

Package Type

TSOP

Series

SQ Rugged

Mount Type

Surface

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance Rds

53mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

9.3nC

Forward Voltage Vf

0.77V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

8 V

Maximum Power Dissipation Pd

3.6W

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

1.7 mm

Standards/Approvals

No

Length

3.1mm

Height

1mm

Automotive Standard

AEC-Q101

N-Channel MOSFET, Automotive SQ Rugged Series, Vishay Semiconductor


The SQ series of MOSFETs from Vishay Semiconductor are designed for all automotive applications requiring ruggedness and high reliability.

Advantages of SQ Rugged Series MOSFETs


• AEC-Q101 qualified

• Junction temperature up to +175°C

• Low on-resistance n- and p-channel TrenchFET® technologies

• Innovative space-saving package options

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


Approvals

AEC-Q101

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