Vishay SQ Rugged Type P-Channel MOSFET, 17 A, 40 V Enhancement, 8-Pin SOIC SQ4401EY-T1_GE3
- N° de stock RS:
- 819-3917
- Référence fabricant:
- SQ4401EY-T1_GE3
- Fabricant:
- Vishay
Offre groupée disponible
Sous-total (1 paquet de 10 unités)*
23,73 €
(TVA exclue)
28,71 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
Temporairement en rupture de stock
- 20 unité(s) expédiée(s) à partir du 30 janvier 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 2,373 € | 23,73 € |
| 50 - 90 | 1,898 € | 18,98 € |
| 100 - 240 | 1,661 € | 16,61 € |
| 250 - 490 | 1,541 € | 15,41 € |
| 500 + | 1,28 € | 12,80 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 819-3917
- Référence fabricant:
- SQ4401EY-T1_GE3
- Fabricant:
- Vishay
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type P | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 17A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Series | SQ Rugged | |
| Package Type | SOIC | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 24mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 74nC | |
| Forward Voltage Vf | -1.1V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 7.14W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Length | 5mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 1.55mm | |
| Width | 4 mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type P | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 17A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Series SQ Rugged | ||
Package Type SOIC | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 24mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 74nC | ||
Forward Voltage Vf -1.1V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 7.14W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±20 V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Length 5mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 1.55mm | ||
Width 4 mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
- Pays d'origine :
- CN
P-Channel MOSFET, SQ Rugged Series, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Liens connexes
- Vishay SQ Rugged Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin SOIC
- Vishay SQ Rugged Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC SQ4431EY-T1_GE3
- Vishay SQ Rugged Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC
- Vishay SQ Rugged Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin SOIC SQ4850EY-T1_GE3
- Vishay SQ Rugged Type P-Channel MOSFET 12 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SQ2315ES-T1_GE3
- Vishay SQ Rugged Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 6-Pin TSOP-6 SQ3419EV-T1_GE3
- Vishay SQ Rugged Type P-Channel MOSFET 12 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Vishay SQ Rugged Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 6-Pin TSOP-6
