Vishay SQ Rugged Type P-Channel MOSFET, 6.2 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC SQ4431EY-T1_GE3

Voir l’ensemble des MOSFETs

Sous-total (1 paquet de 20 unités)*

13,04 €

(TVA exclue)

15,78 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • 2 420 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le paquet*
20 +0,652 €13,04 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
N° de stock RS:
819-3920
Référence fabricant:
SQ4431EY-T1_GE3
Fabricant:
Vishay
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Vishay

Channel Type

Type P

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

6.2A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Series

SQ Rugged

Package Type

SOIC

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

52mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

6W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

-1.1V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

25nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

5mm

Height

1.55mm

Standards/Approvals

No

Width

4 mm

Automotive Standard

AEC-Q101

Pays d'origine :
CN

P-Channel MOSFET, SQ Rugged Series, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


Liens connexes