Vishay SQ Rugged N-Channel MOSFET, 8 A, 20 V Enhancement, 6-Pin TSOP SQ3460EV-T1_GE3

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N° de stock RS:
170-8298
Référence fabricant:
SQ3460EV-T1_GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current Id

8A

Maximum Drain Source Voltage Vds

20V

Series

SQ Rugged

Package Type

TSOP

Mount Type

Surface

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance Rds

53mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

9.3nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

-8V, +8V

Maximum Power Dissipation Pd

3.6W

Forward Voltage Vf

770mV

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

3.1mm

Height

1mm

Width

1.7mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

AEC-Q101

N-Channel MOSFET, Automotive SQ Rugged Series, Vishay Semiconductor


The SQ series of MOSFETs from Vishay Semiconductor are designed for all automotive applications requiring ruggedness and high reliability.

Advantages of SQ Rugged Series MOSFETs


• AEC-Q101 qualified

• Junction temperature up to +175°C

• Low on-resistance n- and p-channel TrenchFET® technologies

• Innovative space-saving package options

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


Approvals

AEC-Q101

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