Vishay SQ Rugged Type N-Channel MOSFET, 8 A, 20 V Enhancement, 6-Pin TSOP
- N° de stock RS:
- 170-8298
- Référence fabricant:
- SQ3460EV-T1_GE3
- Fabricant:
- Vishay
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,384 € | 1 152,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 170-8298
- Référence fabricant:
- SQ3460EV-T1_GE3
- Fabricant:
- Vishay
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 8A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 20V | |
| Package Type | TSOP | |
| Series | SQ Rugged | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 6 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 53mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 9.3nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 0.77V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 3.6W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 1mm | |
| Length | 3.1mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 8A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 20V | ||
Package Type TSOP | ||
Series SQ Rugged | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 6 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 53mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 9.3nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 0.77V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 3.6W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 1mm | ||
Length 3.1mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
N-Channel MOSFET, Automotive SQ Rugged Series, Vishay Semiconductor
The SQ series of MOSFETs from Vishay Semiconductor are designed for all automotive applications requiring ruggedness and high reliability.
Advantages of SQ Rugged Series MOSFETs
• AEC-Q101 qualified
• Junction temperature up to +175°C
• Low on-resistance n- and p-channel TrenchFET® technologies
• Innovative space-saving package options
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Approvals
AEC-Q101
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