Vishay D Series Type N-Channel Power MOSFET, 8.7 A, 500 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB
- N° de stock RS:
- 787-9181
- Référence fabricant:
- SIHP8N50D-GE3
- Fabricant:
- Vishay
Offre groupée disponible
Sous-total (1 paquet de 5 unités)*
7,60 €
(TVA exclue)
9,20 €
(TVA incluse)
Ajouter 55 unités pour bénéficier d'une livraison gratuite
Dernier stock RS
- 5 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
- 10 unité(s) finale(s) expédiée(s) à partir du 25 février 2026
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,52 € | 7,60 € |
| 50 - 120 | 1,37 € | 6,85 € |
| 125 - 245 | 1,216 € | 6,08 € |
| 250 - 495 | 1,142 € | 5,71 € |
| 500 + | 1,068 € | 5,34 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 787-9181
- Référence fabricant:
- SIHP8N50D-GE3
- Fabricant:
- Vishay
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Product Type | Power MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 8.7A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 500V | |
| Series | D Series | |
| Package Type | TO-220AB | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.85Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 30nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±30 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 156W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 9.01mm | |
| Length | 10.51mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 4.65 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Product Type Power MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 8.7A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 500V | ||
Series D Series | ||
Package Type TO-220AB | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.85Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 30nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±30 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 156W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 9.01mm | ||
Length 10.51mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 4.65 mm | ||
Automotive Standard No | ||
N-Channel MOSFET, D Series High Voltage, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Liens connexes
- Vishay Type N-Channel Power MOSFET 500 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB SIHP8N50D-GE3
- Vishay Type N-Channel MOSFET 500 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB IRF840HPBF
- Vishay IRF Type N-Channel MOSFET 500 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB IRF840PBF
- Vishay Type N-Channel Power MOSFET 400 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB
- Vishay SIHP Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB SIHP155N60EF-GE3
- Vishay SIHP Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB SIHP150N60E-GE3
- Vishay SIHP Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB SIHP074N65E-GE3
- Vishay SIHP Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB SIHP054N65E-GE3