Vishay SIHP Type N-Channel MOSFET, 34 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB SIHP085N60EF-GE3

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268-8317
Référence fabricant:
SIHP085N60EF-GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

34A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Package Type

TO-220AB

Series

SIHP

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.084Ω

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.2V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±30 V

Maximum Power Dissipation Pd

184W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

63nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
CN
The Vishay EF series power MOSFET with fast body diode and 4 generation E series technology which has reduced switching and conduction losses and it is used in applications such as switch mode power supplies, server power supplies and power factor correct

Low effective capacitance

Avalanche energy rated

Low figure of merit

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