Vishay Type N-Channel Power MOSFET, 8.7 A, 500 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB SIHP8N50D-GE3

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N° de stock RS:
165-7113
Référence fabricant:
SIHP8N50D-GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

Power MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

8.7A

Maximum Drain Source Voltage Vds

500V

Package Type

TO-220AB

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.85Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±30 V

Forward Voltage Vf

1.2V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

30nC

Maximum Power Dissipation Pd

156W

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

9.01mm

Length

10.51mm

Standards/Approvals

No

Width

4.65 mm

Automotive Standard

No

N-Channel MOSFET, D Series High Voltage, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


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