Vishay SIHP Type N-Channel MOSFET, 22 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB SIHP150N60E-GE3
- N° de stock RS:
- 268-8320
- Référence fabricant:
- SIHP150N60E-GE3
- Fabricant:
- Vishay
Offre groupée disponible
Sous-total (1 paquet de 2 unités)*
9,68 €
(TVA exclue)
11,72 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
En stock
- 1 000 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 4,84 € | 9,68 € |
| 10 - 18 | 4,37 € | 8,74 € |
| 20 - 98 | 4,285 € | 8,57 € |
| 100 - 498 | 3,575 € | 7,15 € |
| 500 + | 3,035 € | 6,07 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 268-8320
- Référence fabricant:
- SIHP150N60E-GE3
- Fabricant:
- Vishay
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 22A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Package Type | TO-220AB | |
| Series | SIHP | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.158Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 36nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 179W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±30 V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 22A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Package Type TO-220AB | ||
Series SIHP | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.158Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 36nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 179W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±30 V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
- Pays d'origine :
- CN
The Vishay E series power MOSFET with fast body diode and 4 generation E series technology which has reduced switching and conduction losses and it is used in applications such as switch mode power supplies, server power supplies and power factor correcti
Low effective capacitance
Avalanche energy rated
Low figure of merit
Liens connexes
- Vishay SIHP Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB SIHP150N60E-GE3
- Vishay SIHP Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB SIHP074N65E-GE3
- Vishay SIHP Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB SIHP054N65E-GE3
- Vishay SIHP Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB SIHP085N60EF-GE3
- Vishay SIHP Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB SIHP155N60EF-GE3
- Vishay SIHG Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247AC SIHG150N60E-GE3
- Vishay Type N-Channel Power MOSFET 500 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB SIHP8N50D-GE3
- Vishay Type N-Channel Power MOSFET 400 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB SIHP6N40D-GE3
