Vishay Isolated TrenchFET 2 Type N-Channel Power MOSFET, 1.3 A, 20 V Enhancement, 6-Pin SC-88 SI1922EDH-T1-GE3

Voir l’ensemble des MOSFETs

Sous-total (1 paquet de 50 unités)*

14,90 €

(TVA exclue)

18,05 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • 3 000 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le paquet*
50 +0,298 €14,90 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
N° de stock RS:
812-3091
Référence fabricant:
SI1922EDH-T1-GE3
Fabricant:
Vishay
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

Power MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

1.3A

Maximum Drain Source Voltage Vds

20V

Series

TrenchFET

Package Type

SC-88

Mount Type

Surface

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance Rds

263mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

1.6nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

8 V

Minimum Operating Temperature

150°C

Maximum Power Dissipation Pd

1.25W

Maximum Operating Temperature

-55°C

Transistor Configuration

Isolated

Standards/Approvals

No

Length

2.2mm

Height

1mm

Width

1.35 mm

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

No

Dual N-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


Liens connexes