Vishay Isolated TrenchFET 2 Type N-Channel Power MOSFET, 1.3 A, 20 V Enhancement, 6-Pin SC-88 SI1922EDH-T1-GE3

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812-3091
Référence fabricant:
SI1922EDH-T1-GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

Power MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

1.3A

Maximum Drain Source Voltage Vds

20V

Series

TrenchFET

Package Type

SC-88

Mount Type

Surface

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance Rds

263mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

1.6nC

Maximum Power Dissipation Pd

1.25W

Minimum Operating Temperature

150°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

8 V

Transistor Configuration

Isolated

Maximum Operating Temperature

-55°C

Length

2.2mm

Standards/Approvals

No

Height

1mm

Width

1.35 mm

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

No

Dual N-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


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