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Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 110 A, 55 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRF3205ZPBF

N° de stock RS:: 688-6829
Référence fabricant:: IRF3205ZPBF
Fabricant:: Infineon

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 110 A, 55 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRF3205ZPBF

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20 - 48	0,92 €	1,84 €
50 - 98	0,865 €	1,73 €
100 - 198	0,805 €	1,61 €
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N° de stock RS:: 688-6829
Référence fabricant:: IRF3205ZPBF
Fabricant:: Infineon

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	110A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	55V
	Series	HEXFET
	Package Type	TO-220
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	7mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Forward Voltage Vf	1.3V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	76nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	170W
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	No
	Height	8.77mm
	Length	10.54mm
	Width	4.69 mm
	Automotive Standard	No

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	Marque Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 110A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 55V
	Series HEXFET
	Package Type TO-220
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 7mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Forward Voltage Vf 1.3V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 76nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 170W
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals No
	Height 8.77mm
	Length 10.54mm
	Width 4.69 mm
	Automotive Standard No

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