Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 110 A, 55 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRF3205ZPBF

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688-6829
Référence fabricant:
IRF3205ZPBF
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

110A

Maximum Drain Source Voltage Vds

55V

Series

HEXFET

Package Type

TO-220

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

7mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

76nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

170W

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

8.77mm

Width

4.69 mm

Standards/Approvals

No

Length

10.54mm

Automotive Standard

No

Motor Control and AC-DC Synchronous Rectifier MOSFET, Infineon


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