Vishay IRFBE Type N-Channel MOSFET, 1.8 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220

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542-9535
Référence fabricant:
IRFBE20PBF
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

1.8A

Maximum Drain Source Voltage Vds

800V

Package Type

TO-220

Series

IRFBE

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

6.5Ω

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

38nC

Maximum Power Dissipation Pd

54W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.4V

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

4.7 mm

Length

10.41mm

Height

9.01mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

N-Channel MOSFET, 600V to 1000V, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


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