Vishay IRFBE Type N-Channel Power MOSFET, 3.6 A, 900 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB

Offre groupée disponible

Sous-total (1 tube de 50 unités)*

89,25 €

(TVA exclue)

108,00 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • Expédition à partir du 16 mars 2027
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le tube*
50 - 501,785 €89,25 €
100 - 2001,535 €76,75 €
250 +1,321 €66,05 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
178-0844
Référence fabricant:
IRFBF30PBF
Fabricant:
Vishay
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Vishay

Product Type

Power MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

3.6A

Maximum Drain Source Voltage Vds

900V

Series

IRFBE

Package Type

TO-220AB

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

3.7Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

78nC

Maximum Power Dissipation Pd

125W

Forward Voltage Vf

1.5V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

10.41mm

Standards/Approvals

RoHS 2002/95/EC

Height

9.01mm

Width

4.7 mm

Automotive Standard

No

N-Channel MOSFET, 600V to 1000V, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


Liens connexes