N-Channel MOSFET, 4.1 A, 800 V, 3-Pin TO-220AB Vishay IRFBE30PBF

N° de stock RS:: 541-1124
Référence fabricant:: IRFBE30PBF
Fabricant:: Vishay

N-Channel MOSFET, 4.1 A, 800 V, 3-Pin TO-220AB Vishay IRFBE30PBF

Prix la pièce

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Unité	Prix par unité
1 - 9	1,82 €
10 - 49	1,77 €
50 - 99	1,69 €
100 - 249	1,60 €
250 +	1,52 €

N° de stock RS:: 541-1124
Référence fabricant:: IRFBE30PBF
Fabricant:: Vishay

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attribut	Valeur
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	4.1 A
Maximum Drain Source Voltage	800 V
Package Type	TO-220AB
Mounting Type	Through Hole
Pin Count	3
Maximum Drain Source Resistance	3 Ω
Channel Mode	Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage	2V
Maximum Power Dissipation	125 W
Transistor Configuration	Single
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Length	10.41mm
Typical Gate Charge @ Vgs	78 nC @ 10 V
Width	4.7mm
Transistor Material	Si
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Number of Elements per Chip	1
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Height	9.01mm

N-Channel MOSFET, 4.1 A, 800 V, 3-Pin TO-220AB Vishay IRFBE30PBF

N-Channel MOSFET, 600V to 1000V, Vishay Semiconductor