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Vishay IRFBE Type N-Channel MOSFET, 4.1 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRFBE30PBF

N° de stock RS:: 541-1124
Numéro d'article Distrelec:: 171-15-208
Référence fabricant:: IRFBE30PBF
Fabricant:: Vishay

Vishay IRFBE Type N-Channel MOSFET, 4.1 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRFBE30PBF

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N° de stock RS:: 541-1124
Numéro d'article Distrelec:: 171-15-208
Référence fabricant:: IRFBE30PBF
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	4.1A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	800V
	Series	IRFBE
	Package Type	TO-220
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	3Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	1.8V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	78nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	125W
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	10.41mm
	Height	9.01mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

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	Marque Vishay
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 4.1A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 800V
	Series IRFBE
	Package Type TO-220
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 3Ω
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 1.8V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 78nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 125W
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 10.41mm
	Height 9.01mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

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N-Channel MOSFET, 600V to 1000V, Vishay Semiconductor

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