Vishay IRFB Type N-Channel MOSFET, 11 A, 500 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRFB11N50APBF

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541-1944
Référence fabricant:
IRFB11N50APBF
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

11A

Maximum Drain Source Voltage Vds

500V

Series

IRFB

Package Type

TO-220

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

520mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

170W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Forward Voltage Vf

1.5V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

52nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Height

9.01mm

Length

10.41mm

Width

4.7 mm

Automotive Standard

No

N-Channel MOSFET, 500V, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


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