Vishay IRFBE Type N-Channel Power MOSFET, 1.7 A, 900 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB IRFBF20PBF

Offre groupée disponible

Sous-total (1 tube de 50 unités)*

56,75 €

(TVA exclue)

68,65 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • Expédition à partir du 17 mars 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le tube*
50 - 501,135 €56,75 €
100 - 2001,022 €51,10 €
250 +0,965 €48,25 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
178-0843
Référence fabricant:
IRFBF20PBF
Fabricant:
Vishay
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Vishay

Product Type

Power MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

1.7A

Maximum Drain Source Voltage Vds

900V

Series

IRFBE

Package Type

TO-220AB

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.5V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

38nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Maximum Power Dissipation Pd

54W

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS 2002/95/EC

Length

10.41mm

Width

4.7 mm

Height

9.01mm

Automotive Standard

No

N-Channel MOSFET, 600V to 1000V, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


Liens connexes