Vishay IRFBE Type N-Channel MOSFET, 4.1 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220

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N° de stock RS:
178-0818
Référence fabricant:
IRFBE30PBF
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

4.1A

Maximum Drain Source Voltage Vds

800V

Series

IRFBE

Package Type

TO-220

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

3Ω

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.8V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

78nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

125W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

9.01mm

Length

10.41mm

Width

4.7 mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

N-Channel MOSFET, 600V to 1000V, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


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