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Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 43 A, 150 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRF3415PBF

N° de stock RS:: 542-9232
Numéro d'article Distrelec:: 303-41-275
Référence fabricant:: IRF3415PBF
Fabricant:: Infineon

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 43 A, 150 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRF3415PBF

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N° de stock RS:: 542-9232
Numéro d'article Distrelec:: 303-41-275
Référence fabricant:: IRF3415PBF
Fabricant:: Infineon

Spécifications

Documentation technique

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Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	43A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	150V
	Series	HEXFET
	Package Type	TO-220
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	42mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	200nC
	Maximum Power Dissipation Pd	200W
	Forward Voltage Vf	1.3V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Height	8.77mm
	Standards/Approvals	No
	Length	10.54mm
	Automotive Standard	No

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	Marque Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 43A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 150V
	Series HEXFET
	Package Type TO-220
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 42mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 200nC
	Maximum Power Dissipation Pd 200W
	Forward Voltage Vf 1.3V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Height 8.77mm
	Standards/Approvals No
	Length 10.54mm
	Automotive Standard No

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