Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 17 A, 150 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- N° de stock RS:
- 688-6920
- Numéro d'article Distrelec:
- 304-43-451
- Référence fabricant:
- IRFB4019PBF
- Fabricant:
- Infineon
Sous-total (1 paquet de 5 unités)*
10,01 €
(TVA exclue)
12,11 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €
- 15 unité(s) prête(s) à être expédiée(s)
- Plus 125 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
- Plus 65 unité(s) expédiée(s) à partir du 04 septembre 2026
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 2,002 € | 10,01 € |
| 25 - 45 | 1,664 € | 8,32 € |
| 50 - 95 | 1,498 € | 7,49 € |
| 100 - 245 | 1,34 € | 6,70 € |
| 250 + | 1,226 € | 6,13 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 688-6920
- Numéro d'article Distrelec:
- 304-43-451
- Référence fabricant:
- IRFB4019PBF
- Fabricant:
- Infineon
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 17A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 150V | |
| Package Type | TO-220 | |
| Series | HEXFET | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 95mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 13nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 80W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 4.82mm | |
| Height | 9.02mm | |
| Length | 10.66mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 17A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 150V | ||
Package Type TO-220 | ||
Series HEXFET | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 95mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 13nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 80W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 4.82mm | ||
Height 9.02mm | ||
Length 10.66mm | ||
Automotive Standard No | ||
Digital Audio MOSFET, Infineon
MOSFET Transistors, Infineon
Liens connexes
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRFB4019PBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRF530NPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin TO-220
