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Vishay SiHU4N80AE N-Channel MOSFET, 4.1 A, 800 V Enhancement, 3-Pin IPAK SIHU4N80AE-GE3

N° de stock RS:: 188-4879
Référence fabricant:: SIHU4N80AE-GE3
Fabricant:: Vishay

Vishay SiHU4N80AE N-Channel MOSFET, 4.1 A, 800 V Enhancement, 3-Pin IPAK SIHU4N80AE-GE3

Actuellement indisponible

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N° de stock RS:: 188-4879
Référence fabricant:: SIHU4N80AE-GE3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Channel Type	N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	4.1A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	800V
	Series	SiHU4N80AE
	Package Type	IPAK
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	1.44Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	30V
	Maximum Power Dissipation Pd	62.5W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	11nC
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Width	2.38mm
	Standards/Approvals	No
	Length	6.73mm
	Height	6.22mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Vishay
	Channel Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 4.1A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 800V
	Series SiHU4N80AE
	Package Type IPAK
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 1.44Ω
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 30V
	Maximum Power Dissipation Pd 62.5W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 11nC
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Width 2.38mm
	Standards/Approvals No
	Length 6.73mm
	Height 6.22mm
	Automotive Standard No

Datasheet SIHU4N80AE-GE3

E Series Power MOSFET

Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Low effective capacitance (Ciss)

Reduced switching and conduction losses

APPLICATIONS

Server and telecom power supplies

Switch mode power supplies (SMPS)

Power factor correction power supplies (PFC)

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