Vishay SIHK Type N-Channel MOSFET, 21 A, 650 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 10 x 12 SIHK125N60EF-T1GE3

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268-8312
Référence fabricant:
SIHK125N60EF-T1GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

21A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Series

SIHK

Package Type

PowerPAK 10 x 12

Mount Type

PCB

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.125Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±30 V

Maximum Power Dissipation Pd

132W

Forward Voltage Vf

1.2V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

45nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

9.9mm

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
CN
The Vishay power MOSFET with fast body diode and 4th generation E series technology has reduced switching and conduction losses and it is used in applications such as switch mode power supplies, server power supplies and power factor correction power supp

Low effective capacitance

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