Vishay SIHK Type N-Channel MOSFET, 21 A, 650 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 10 x 12 SIHK125N60EF-T1GE3

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268-8312
Référence fabricant:
SIHK125N60EF-T1GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

21A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Series

SIHK

Package Type

PowerPAK 10 x 12

Mount Type

PCB

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.125Ω

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.2V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

45nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±30 V

Maximum Power Dissipation Pd

132W

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Length

9.9mm

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
CN
The Vishay power MOSFET with fast body diode and 4th generation E series technology has reduced switching and conduction losses and it is used in applications such as switch mode power supplies, server power supplies and power factor correction power supp

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