Vishay SIHK Type N-Channel MOSFET, 24 A, 650 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 10 x 12 SIHK105N60EF-T1GE3

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268-8308
Référence fabricant:
SIHK105N60EF-T1GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

24A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Series

SIHK

Package Type

PowerPAK 10 x 12

Mount Type

PCB

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.105Ω

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±30 V

Maximum Power Dissipation Pd

142W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

51nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

9.9mm

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
CN
The Vishay power MOSFET with fast body diode and 4th generation E series technology. It has reduced switching and conduction losses and it is used in applications such as switch mode power supplies, server power supplies, and telecom power supplies.

Low effective capacitance

Avalanche energy rated

Low figure of merit

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