Vishay SIHK Type N-Channel MOSFET, 24 A, 650 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 10 x 12 SIHK105N60E-T1-GE3

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268-8310
Référence fabricant:
SIHK105N60E-T1-GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

24A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Package Type

PowerPAK 10 x 12

Series

SIHK

Mount Type

PCB

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.1Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±30 V

Maximum Power Dissipation Pd

132W

Forward Voltage Vf

1.2V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

53nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

9.9mm

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
CN
The Vishay power MOSFET with 4th generation E series technology has reduced switching and conduction losses and it is used in applications such as switch mode power supplies, server power supplies and power factor correction power supplies.

Low effective capacitance

Avalanche energy rated

Low figure of merit

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