Infineon IPD Type P-Channel MOSFET, -50 A, -40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD50P04P4L11ATMA2
- N° de stock RS:
- 258-3845
- Référence fabricant:
- IPD50P04P4L11ATMA2
- Fabricant:
- Infineon
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|---|---|---|
| 2 - 18 | 1,63 € | 3,26 € |
| 20 - 48 | 1,465 € | 2,93 € |
| 50 - 98 | 1,385 € | 2,77 € |
| 100 - 198 | 1,29 € | 2,58 € |
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- N° de stock RS:
- 258-3845
- Référence fabricant:
- IPD50P04P4L11ATMA2
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Channel Type | Type P | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | -50A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | -40V | |
| Package Type | TO-252 | |
| Series | IPD | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 10.6mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | -1V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 45nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 58W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 5V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | DIN IEC 68-1, RoHS | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Channel Type Type P | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id -50A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds -40V | ||
Package Type TO-252 | ||
Series IPD | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 10.6mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf -1V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 45nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 58W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 5V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals DIN IEC 68-1, RoHS | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon OptiMOS-P2 power-transistor is lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency. Robust packages with superior quality and reliability.
No charge pump required for high side drive
Simple interface drive circuit
Highest current capability
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