Infineon IPD Type P-Channel MOSFET, -50 A, -40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD50P04P4L11ATMA2
- N° de stock RS:
- 258-3845
- Référence fabricant:
- IPD50P04P4L11ATMA2
- Fabricant:
- Infineon
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 1,57 € | 3,14 € |
| 20 - 48 | 1,415 € | 2,83 € |
| 50 - 98 | 1,33 € | 2,66 € |
| 100 - 198 | 1,24 € | 2,48 € |
| 200 + | 1,145 € | 2,29 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 258-3845
- Référence fabricant:
- IPD50P04P4L11ATMA2
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type P | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | -50A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | -40V | |
| Package Type | TO-252 | |
| Series | IPD | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 10.6mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 5 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 58W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 45nC | |
| Forward Voltage Vf | -1V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | DIN IEC 68-1, RoHS | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type P | ||
Maximum Continuous Drain Current Id -50A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds -40V | ||
Package Type TO-252 | ||
Series IPD | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 10.6mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 5 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 58W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 45nC | ||
Forward Voltage Vf -1V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals DIN IEC 68-1, RoHS | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon OptiMOS-P2 power-transistor is lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency. Robust packages with superior quality and reliability.
No charge pump required for high side drive
Simple interface drive circuit
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