Infineon IPD Type P-Channel MOSFET, -85 A, -40 V Enhancement TO-252

Voir l’ensemble des MOSFETs

Sous-total (1 bobine de 2500 unités)*

1 375,00 €

(TVA exclue)

1 675,00 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • 2 500 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
2500 +0,55 €1 375,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
258-3865
Référence fabricant:
IPD85P04P407ATMA2
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

-85A

Maximum Drain Source Voltage Vds

-40V

Package Type

TO-252

Series

IPD

Mount Type

Surface

Maximum Drain Source Resistance Rds

7.3mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

-1V

Maximum Power Dissipation Pd

88W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

69nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS, DIN IEC 68-1

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon OptiMOS-P2 power-transistor is lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency. Robust packages with superior quality and reliability.

No charge pump required for high side drive

Simple interface drive circuit

Highest current capability

Liens connexes