Infineon IPD Type P-Channel MOSFET, -85 A, -40 V Enhancement TO-252
- N° de stock RS:
- 258-3865
- Référence fabricant:
- IPD85P04P407ATMA2
- Fabricant:
- Infineon
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|---|---|---|
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*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 258-3865
- Référence fabricant:
- IPD85P04P407ATMA2
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type P | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | -85A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | -40V | |
| Package Type | TO-252 | |
| Series | IPD | |
| Mount Type | Surface | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 7.3mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | -1V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 69nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 88W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS, DIN IEC 68-1 | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type P | ||
Maximum Continuous Drain Current Id -85A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds -40V | ||
Package Type TO-252 | ||
Series IPD | ||
Mount Type Surface | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 7.3mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf -1V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 69nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 88W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS, DIN IEC 68-1 | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon OptiMOS-P2 power-transistor is lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency. Robust packages with superior quality and reliability.
No charge pump required for high side drive
Simple interface drive circuit
Highest current capability
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