Infineon IPD Type P-Channel MOSFET, -85 A, -40 V Enhancement TO-252

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N° de stock RS:
258-3865
Référence fabricant:
IPD85P04P407ATMA2
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Channel Type

Type P

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

-85A

Maximum Drain Source Voltage Vds

-40V

Series

IPD

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Maximum Drain Source Resistance Rds

7.3mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

69nC

Forward Voltage Vf

-1V

Maximum Power Dissipation Pd

88W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS, DIN IEC 68-1

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon OptiMOS-P2 power-transistor is lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency. Robust packages with superior quality and reliability.

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