Infineon IPD Type P-Channel MOSFET, 50 A, 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD50P04P413ATMA2
- N° de stock RS:
- 217-2519
- Référence fabricant:
- IPD50P04P413ATMA2
- Fabricant:
- Infineon
Offre groupée disponible
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 paquet de 20 unités)*
19,46 €
(TVA exclue)
23,54 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €
En stock
- 6 880 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 20 - 20 | 0,973 € | 19,46 € |
| 40 - 80 | 0,925 € | 18,50 € |
| 100 - 180 | 0,885 € | 17,70 € |
| 200 - 480 | 0,847 € | 16,94 € |
| 500 + | 0,789 € | 15,78 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 217-2519
- Référence fabricant:
- IPD50P04P413ATMA2
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type P | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 50A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Series | IPD | |
| Package Type | TO-252 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 12.6mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 58W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 39nC | |
| Forward Voltage Vf | -1.3V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type P | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 50A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Series IPD | ||
Package Type TO-252 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 12.6mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 58W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 39nC | ||
Forward Voltage Vf -1.3V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon -40V, P-Ch, 12.6 mΩ max, Automotive MOSFET, DPAK, OptiMOS™-P2.
P-channel - Normal Level - Enhancement mode
AEC qualified
MSL1 up to 260°C peak reflow
175°C operating temperature
Green package (RoHS compliant)
100% Avalanche tested
Liens connexes
- Infineon IPD Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon IPD Type P-Channel MOSFET -30 V Enhancement PG-TO-252
- Infineon IPD Type P-Channel MOSFET -40 V Enhancement TO-252
- Infineon IPD Type P-Channel MOSFET -30 V Enhancement PG-TO-252 IPD50P03P4L11ATMA2
- Infineon IPD Type P-Channel MOSFET -40 V Enhancement TO-252 IPD85P04P407ATMA2
- Infineon IPD Type P-Channel MOSFET -40 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon IPD Type P-Channel MOSFET -40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD50P04P4L11ATMA2
- Infineon IPD Type P-Channel MOSFET, 15.1 A P TO-252