Infineon IPD Type P-Channel MOSFET, 50 A, 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD50P04P413ATMA2

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217-2519
Référence fabricant:
IPD50P04P413ATMA2
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

50A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Package Type

TO-252

Series

IPD

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

12.6mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

39nC

Maximum Power Dissipation Pd

58W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

-1.3V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon -40V, P-Ch, 12.6 mΩ max, Automotive MOSFET, DPAK, OptiMOS™-P2.

P-channel - Normal Level - Enhancement mode

AEC qualified

MSL1 up to 260°C peak reflow

175°C operating temperature

Green package (RoHS compliant)

100% Avalanche tested

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