Infineon IPD Type P-Channel MOSFET, -85 A, -40 V Enhancement TO-252 IPD85P04P407ATMA2
- N° de stock RS:
- 258-3867
- Référence fabricant:
- IPD85P04P407ATMA2
- Fabricant:
- Infineon
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- N° de stock RS:
- 258-3867
- Référence fabricant:
- IPD85P04P407ATMA2
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Channel Type | Type P | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | -85A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | -40V | |
| Series | IPD | |
| Package Type | TO-252 | |
| Mount Type | Surface | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 7.3mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | -1V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 69nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 88W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS, DIN IEC 68-1 | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Channel Type Type P | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id -85A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds -40V | ||
Series IPD | ||
Package Type TO-252 | ||
Mount Type Surface | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 7.3mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf -1V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 69nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 88W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS, DIN IEC 68-1 | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon OptiMOS-P2 power-transistor is lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency. Robust packages with superior quality and reliability.
No charge pump required for high side drive
Simple interface drive circuit
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