Infineon IPD Type P-Channel MOSFET, -50 A, -30 V Enhancement PG-TO-252

Voir l’ensemble des MOSFETs

Sous-total (1 bobine de 2500 unités)*

775,00 €

(TVA exclue)

950,00 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • Expédition à partir du 03 avril 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
2500 +0,31 €775,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
258-3841
Référence fabricant:
IPD50P03P4L11ATMA2
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Channel Type

Type P

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

-50A

Maximum Drain Source Voltage Vds

-30V

Series

IPD

Package Type

PG-TO-252

Mount Type

Surface

Maximum Drain Source Resistance Rds

10.5mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

58W

Forward Voltage Vf

-1V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

-0.31 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

42nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

DIN IEC 68-1, RoHS

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon OptiMOS-2 power-transistor is lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency. Robust packages with superior quality and reliability.

Simple interface drive circuit

World's lowest RDSon at 40V

Highest current capability

Liens connexes