Infineon IPD Type P-Channel MOSFET, -50 A, -30 V Enhancement PG-TO-252 IPD50P03P4L11ATMA2

Voir l’ensemble des MOSFETs
Offre groupée disponible

Sous-total (1 paquet de 2 unités)*

2,52 €

(TVA exclue)

3,04 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • 2 428 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le paquet*
2 - 181,26 €2,52 €
20 - 481,125 €2,25 €
50 - 981,045 €2,09 €
100 - 1980,985 €1,97 €
200 +0,63 €1,26 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
N° de stock RS:
258-3842
Référence fabricant:
IPD50P03P4L11ATMA2
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Channel Type

Type P

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

-50A

Maximum Drain Source Voltage Vds

-30V

Package Type

PG-TO-252

Series

IPD

Mount Type

Surface

Maximum Drain Source Resistance Rds

10.5mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

42nC

Maximum Power Dissipation Pd

58W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

-0.31 V

Forward Voltage Vf

-1V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

DIN IEC 68-1, RoHS

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon OptiMOS-2 power-transistor is lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency. Robust packages with superior quality and reliability.

Simple interface drive circuit

World's lowest RDSon at 40V

Highest current capability

Liens connexes