Infineon IPD Type P-Channel MOSFET, -50 A, -30 V Enhancement PG-TO-252 IPD50P03P4L11ATMA2
- N° de stock RS:
- 258-3842
- Référence fabricant:
- IPD50P03P4L11ATMA2
- Fabricant:
- Infineon
Offre groupée disponible
Sous-total (1 paquet de 2 unités)*
2,52 €
(TVA exclue)
3,04 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
En stock
- 2 428 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 1,26 € | 2,52 € |
| 20 - 48 | 1,125 € | 2,25 € |
| 50 - 98 | 1,045 € | 2,09 € |
| 100 - 198 | 0,985 € | 1,97 € |
| 200 + | 0,63 € | 1,26 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 258-3842
- Référence fabricant:
- IPD50P03P4L11ATMA2
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type P | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | -50A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | -30V | |
| Series | IPD | |
| Package Type | PG-TO-252 | |
| Mount Type | Surface | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 10.5mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | -1V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 58W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | -0.31 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 42nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | DIN IEC 68-1, RoHS | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type P | ||
Maximum Continuous Drain Current Id -50A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds -30V | ||
Series IPD | ||
Package Type PG-TO-252 | ||
Mount Type Surface | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 10.5mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf -1V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 58W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs -0.31 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 42nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals DIN IEC 68-1, RoHS | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon OptiMOS-2 power-transistor is lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency. Robust packages with superior quality and reliability.
Simple interface drive circuit
World's lowest RDSon at 40V
Highest current capability
Liens connexes
- Infineon P-Channel MOSFET 30 V PG-TO252-3-11 IPD50P03P4L11ATMA2
- Infineon P-Channel MOSFET 30 V PG-TO252-3-11 IPD80P03P4L07ATMA2
- Infineon P-Channel MOSFET 40 V PG-TO252-3-313 IPD50P04P4L11ATMA2
- Infineon N-Channel MOSFET Transistor, 30 A PG-TO252-3-11 IPD30N06S2L23ATMA3
- Infineon P-Channel MOSFET 30 V PG-TO252 IPD068P03L3GATMA1
- Infineon N-Channel MOSFET 120 V PG-TO252-3-11 IPD35N12S3L24ATMA1
- Infineon P-Channel MOSFET 100 V PG-TO252-3 SPD04P10PGBTMA1
- Infineon P-Channel MOSFET 100 V PG-TO252-3 SPD15P10PLGBTMA1
