Infineon IPD Type P-Channel MOSFET, 50 A, 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252

Voir l’ensemble des MOSFETs

Sous-total (1 bobine de 2500 unités)*

1 105,00 €

(TVA exclue)

1 337,50 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • 5 000 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
2500 +0,442 €1 105,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
217-2518
Référence fabricant:
IPD50P04P413ATMA2
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

50A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Package Type

TO-252

Series

IPD

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

12.6mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

58W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

39nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

-1.3V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon -40V, P-Ch, 12.6 mΩ max, Automotive MOSFET, DPAK, OptiMOS™-P2.

P-channel - Normal Level - Enhancement mode

AEC qualified

MSL1 up to 260°C peak reflow

175°C operating temperature

Green package (RoHS compliant)

100% Avalanche tested

Liens connexes