Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, -9.2 A, -30 V, 8-Pin SO-8 IRF9393TRPBF
- N° de stock RS:
- 257-9338
- Référence fabricant:
- IRF9393TRPBF
- Fabricant:
- Infineon
Offre groupée disponible
Sous-total (1 paquet de 10 unités)*
4,49 €
(TVA exclue)
5,43 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
Dernier stock RS
- 7 980 dernière(s) unité(s), prête(s) à l'envoi d'un autre centre de distribution
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 0,449 € | 4,49 € |
| 100 - 240 | 0,426 € | 4,26 € |
| 250 - 490 | 0,41 € | 4,10 € |
| 500 - 990 | 0,27 € | 2,70 € |
| 1000 + | 0,202 € | 2,02 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 257-9338
- Référence fabricant:
- IRF9393TRPBF
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | -9.2A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | -30V | |
| Series | HEXFET | |
| Package Type | SO-8 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 32.5mΩ | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 2.5W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 25 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 14nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | -1.2V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id -9.2A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds -30V | ||
Series HEXFET | ||
Package Type SO-8 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 32.5mΩ | ||
Maximum Power Dissipation Pd 2.5W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 25 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 14nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf -1.2V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon IRF series is the -30V p channel strong IRFET power mosfet in a SO 8 package. The strong IRFET power mosfet family is optimized for low RDS (on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including dc motors, battery management systems, inverters, and dc-dc converters.
Optimized for broadest availability from distribution partners
Product qualification according to JEDEC standard
Industry standard surface mount package
Silicon optimized for applications switching below 100 kHz
Liens connexes
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 30 V SO-8 IRF9393TRPBF
- Infineon HEXFET P-Channel MOSFET 30 V, 8-Pin SOIC IRF9393TRPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 30 V SO-8 IRF9358TRPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 12 V SO-8 IRF7329TRPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 30 V SO-8 IRF7328TRPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 30 V SO-8 IRF7313TRPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 30 V SO-8 IRF7862TRPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 30 V SO-8 IRF9388TRPBF
