Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 21 A, 30 V, 8-Pin SO-8
- N° de stock RS:
- 257-9323
- Référence fabricant:
- IRF7862TRPBF
- Fabricant:
- Infineon
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 4000 + | 0,374 € | 1 496,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 257-9323
- Référence fabricant:
- IRF7862TRPBF
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 21A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Package Type | SO-8 | |
| Series | HEXFET | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 4.5mΩ | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 2.5W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 30nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 21A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Package Type SO-8 | ||
Series HEXFET | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 4.5mΩ | ||
Maximum Power Dissipation Pd 2.5W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 30nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon IRF series is the 30V single n channel HEXFET power mosfet in a SO 8 package.
Optimized for broadest availability from distribution partners
Product qualification according to JEDEC standard
Optimized for 5V gate drive voltage (called Logic level)
Industry standard surface mount package
Capable of being wave soldered
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