Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 6.5 A, 30 V SO-8

Sous-total (1 bobine de 4000 unités)*

1 404,00 €

(TVA exclue)

1 700,00 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • Expédition à partir du 17 mars 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
4000 +0,351 €1 404,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
257-9300
Référence fabricant:
IRF7313TRPBF
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

6.5A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

SO-8

Series

HEXFET

Maximum Drain Source Resistance Rds

46mΩ

Maximum Power Dissipation Pd

2W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

22nC

Forward Voltage Vf

0.78V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Infineon IRF series is the 30V dual n channel HEXFET power mosfet in a SO 8 package.

RoHS compliant

Low RDS(on)

Dynamic dv/dt rating

Fast switching

Dual n channel mosfet

Liens connexes