Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 6.5 A, 30 V SO-8 IRF7313TRPBF
- N° de stock RS:
- 257-9301
- Référence fabricant:
- IRF7313TRPBF
- Fabricant:
- Infineon
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*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 257-9301
- Référence fabricant:
- IRF7313TRPBF
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 6.5A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Package Type | SO-8 | |
| Series | HEXFET | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 46mΩ | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 2W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 22nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 0.78V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 6.5A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Package Type SO-8 | ||
Series HEXFET | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 46mΩ | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 2W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 22nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 0.78V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon IRF series is the 30V dual n channel HEXFET power mosfet in a SO 8 package.
RoHS compliant
Low RDS(on)
Dynamic dv/dt rating
Fast switching
Dual n channel mosfet
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