Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, -9.2 A, -30 V, 8-Pin SO-8
- N° de stock RS:
- 257-9337
- Référence fabricant:
- IRF9393TRPBF
- Fabricant:
- Infineon
Offre groupée disponible
Sous-total (1 bobine de 4000 unités)*
684,00 €
(TVA exclue)
828,00 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
Temporairement en rupture de stock
- 4 000 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 4000 - 4000 | 0,171 € | 684,00 € |
| 8000 + | 0,163 € | 652,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 257-9337
- Référence fabricant:
- IRF9393TRPBF
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | -9.2A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | -30V | |
| Package Type | SO-8 | |
| Series | HEXFET | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 32.5mΩ | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 2.5W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 14nC | |
| Forward Voltage Vf | -1.2V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 25 V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id -9.2A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds -30V | ||
Package Type SO-8 | ||
Series HEXFET | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 32.5mΩ | ||
Maximum Power Dissipation Pd 2.5W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 14nC | ||
Forward Voltage Vf -1.2V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 25 V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon IRF series is the -30V p channel strong IRFET power mosfet in a SO 8 package. The strong IRFET power mosfet family is optimized for low RDS (on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including dc motors, battery management systems, inverters, and dc-dc converters.
Optimized for broadest availability from distribution partners
Product qualification according to JEDEC standard
Industry standard surface mount package
Silicon optimized for applications switching below 100 kHz
Liens connexes
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET -30 V, 8-Pin SO-8 IRF9393TRPBF
- Infineon HEXFET P-Channel MOSFET 30 V, 8-Pin SOIC IRF9393TRPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET -30 V, 8-Pin SO-8
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET -30 V, 8-Pin SO-8 IRF9358TRPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 30 V SO-8
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET -30 V SO-8
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET -30 V, 8-Pin SO-8
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 30 V SO-8 IRF7313TRPBF
