Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, -9.2 A, -30 V, 8-Pin SO-8

Offre groupée disponible

Sous-total (1 bobine de 4000 unités)*

684,00 €

(TVA exclue)

828,00 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Dernier stock RS
  • 4 000 dernière(s) unité(s), prête(s) à l'envoi d'un autre centre de distribution
Unité
Prix par unité
la bobine*
4000 - 40000,171 €684,00 €
8000 +0,163 €652,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
257-9337
Référence fabricant:
IRF9393TRPBF
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

-9.2A

Maximum Drain Source Voltage Vds

-30V

Package Type

SO-8

Series

HEXFET

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

32.5mΩ

Maximum Power Dissipation Pd

2.5W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

25 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

-1.2V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

14nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Infineon IRF series is the -30V p channel strong IRFET power mosfet in a SO 8 package. The strong IRFET power mosfet family is optimized for low RDS (on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including dc motors, battery management systems, inverters, and dc-dc converters.

Optimized for broadest availability from distribution partners

Product qualification according to JEDEC standard

Industry standard surface mount package

Silicon optimized for applications switching below 100 kHz


Liens connexes