Références fabricant

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, -9.2 A, -30 V, 8-Pin SO-8 IRF9358TRPBF

N° de stock RS:: 257-9331
Référence fabricant:: IRF9358TRPBF
Fabricant:: Infineon

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, -9.2 A, -30 V, 8-Pin SO-8 IRF9358TRPBF

Offre groupée disponible

Sous-total (1 paquet de 5 unités)*

6,61 €

(TVA exclue)

8,00 €

(TVA incluse)

Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €

Dernier stock RS

705 dernière(s) unité(s), prête(s) à l'envoi d'un autre centre de distribution

Unité	Prix par unité	le paquet*
5 - 45	1,322 €	6,61 €
50 - 120	1,138 €	5,69 €
125 - 245	1,058 €	5,29 €
250 - 495	0,862 €	4,31 €
500 +	0,596 €	2,98 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:: 257-9331
Référence fabricant:: IRF9358TRPBF
Fabricant:: Infineon

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.

Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	-9.2A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	-30V
	Series	HEXFET
	Package Type	SO-8
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	23.8mΩ
	Maximum Power Dissipation Pd	2W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	19nC
	Forward Voltage Vf	-1.2V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	RoHS
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id -9.2A
	Maximum Drain Source Voltage Vds -30V
	Series HEXFET
	Package Type SO-8
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 23.8mΩ
	Maximum Power Dissipation Pd 2W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 19nC
	Forward Voltage Vf -1.2V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals RoHS
	Automotive Standard No

Datasheet - IRF9358TRPBF

The Infineon IRF series is the -30V dual p channel HEXFET power mosfet in a SO 8 package.

Optimized for broadest availability from distribution partners

Optimized for 4.5V gate drive voltage (called Logic level)

Capable of being driven at 2.5V gate drive voltage (called super logic level)

Reduced design complexity in high side configuration

Easier interface to microcontroller

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, -9.2 A, -30 V, 8-Pin SO-8 IRF9358TRPBF

Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €

Liens connexes