Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, -9.2 A, -30 V, 8-Pin SO-8 IRF9358TRPBF

Offre groupée disponible

Sous-total (1 paquet de 5 unités)*

6,61 €

(TVA exclue)

8,00 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Dernier stock RS
  • 705 dernière(s) unité(s), prête(s) à l'envoi d'un autre centre de distribution
Unité
Prix par unité
le paquet*
5 - 451,322 €6,61 €
50 - 1201,138 €5,69 €
125 - 2451,058 €5,29 €
250 - 4950,862 €4,31 €
500 +0,596 €2,98 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
N° de stock RS:
257-9331
Référence fabricant:
IRF9358TRPBF
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

-9.2A

Maximum Drain Source Voltage Vds

-30V

Series

HEXFET

Package Type

SO-8

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

23.8mΩ

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

19nC

Maximum Power Dissipation Pd

2W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

-1.2V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Infineon IRF series is the -30V dual p channel HEXFET power mosfet in a SO 8 package.

Optimized for broadest availability from distribution partners

Optimized for 4.5V gate drive voltage (called Logic level)

Capable of being driven at 2.5V gate drive voltage (called super logic level)

Reduced design complexity in high side configuration

Easier interface to microcontroller

Liens connexes