Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, -9.2 A, -30 V, 8-Pin SO-8 IRF9358TRPBF

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257-9331
Référence fabricant:
IRF9358TRPBF
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Channel Type

N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

-9.2A

Maximum Drain Source Voltage Vds

-30V

Package Type

SO-8

Series

HEXFET

Mount Type

Through Hole

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

23.8mΩ

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

19nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

-1.2V

Maximum Power Dissipation Pd

2W

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Infineon IRF series is the -30V dual p channel HEXFET power mosfet in a SO 8 package.

Optimized for broadest availability from distribution partners

Optimized for 4.5V gate drive voltage (called Logic level)

Capable of being driven at 2.5V gate drive voltage (called super logic level)

Reduced design complexity in high side configuration

Easier interface to microcontroller

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