Références fabricant

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, -9.2 A, -30 V, 8-Pin SO-8

N° de stock RS:: 257-9330
Référence fabricant:: IRF9358TRPBF
Fabricant:: Infineon

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, -9.2 A, -30 V, 8-Pin SO-8

Actuellement indisponible

Nous ne savons pas si cet article sera de nouveau disponible. RS a l'intention de le retirer de son assortiment sous peu.

N° de stock RS:: 257-9330
Référence fabricant:: IRF9358TRPBF
Fabricant:: Infineon

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	-9.2A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	-30V
	Series	HEXFET
	Package Type	SO-8
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	23.8mΩ
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	19nC
	Forward Voltage Vf	-1.2V
	Maximum Power Dissipation Pd	2W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	RoHS
	Automotive Standard	No

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	Marque Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id -9.2A
	Maximum Drain Source Voltage Vds -30V
	Series HEXFET
	Package Type SO-8
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 23.8mΩ
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 19nC
	Forward Voltage Vf -1.2V
	Maximum Power Dissipation Pd 2W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals RoHS
	Automotive Standard No

Datasheet - IRF9358TRPBF

The Infineon IRF series is the -30V dual p channel HEXFET power mosfet in a SO 8 package.

Optimized for broadest availability from distribution partners

Optimized for 4.5V gate drive voltage (called Logic level)

Capable of being driven at 2.5V gate drive voltage (called super logic level)

Reduced design complexity in high side configuration

Easier interface to microcontroller

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