Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 14 A, 30 V, 8-Pin SO-8 IRF8714TRPBF
- N° de stock RS:
- 257-9329
- Référence fabricant:
- IRF8714TRPBF
- Fabricant:
- Infineon
Offre groupée disponible
Sous-total (1 paquet de 10 unités)*
4,46 €
(TVA exclue)
5,40 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
En stock
- Plus 10 060 unité(s) expédiée(s) à partir du 30 décembre 2025
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 0,446 € | 4,46 € |
| 100 - 240 | 0,424 € | 4,24 € |
| 250 - 490 | 0,335 € | 3,35 € |
| 500 - 990 | 0,268 € | 2,68 € |
| 1000 + | 0,201 € | 2,01 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 257-9329
- Référence fabricant:
- IRF8714TRPBF
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 14A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Package Type | SO-8 | |
| Series | HEXFET | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 13mΩ | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 2.5W | |
| Forward Voltage Vf | 1V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 8.1nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| Distrelec Product Id | 304-40-522 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 14A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Package Type SO-8 | ||
Series HEXFET | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 13mΩ | ||
Maximum Power Dissipation Pd 2.5W | ||
Forward Voltage Vf 1V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 8.1nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
Distrelec Product Id 304-40-522 | ||
The Infineon IRF series is the 30V single n channel HEXFET power mosfet in a SO 8 package.
Optimized for broadest availability from distribution partners
Product qualification according to JEDEC standard
Logic level is optimized for 5 V gate drive voltage
Industry standard surface mount package
Capable of being wave soldered
Liens connexes
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 30 V SO-8 IRF8714TRPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 30 V, 8-Pin SO-8 IRF7458TRPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 30 V SO-8 IRF7328TRPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 30 V SO-8 IRF7313TRPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 30 V SO-8 IRF7862TRPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 30 V SO-8 IRF9393TRPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 30 V SO-8 IRF9358TRPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 30 V SO-8 IRF9388TRPBF
