Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 21 A, 30 V, 8-Pin SO-8 IRF7862TRPBF
- N° de stock RS:
- 257-9324
- Référence fabricant:
- IRF7862TRPBF
- Fabricant:
- Infineon
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- N° de stock RS:
- 257-9324
- Référence fabricant:
- IRF7862TRPBF
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
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Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 21A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Series | HEXFET | |
| Package Type | SO-8 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 4.5mΩ | |
| Forward Voltage Vf | 1V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 30nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 2.5W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 21A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Series HEXFET | ||
Package Type SO-8 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 4.5mΩ | ||
Forward Voltage Vf 1V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 30nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 2.5W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon IRF series is the 30V single n channel HEXFET power mosfet in a SO 8 package.
Optimized for broadest availability from distribution partners
Product qualification according to JEDEC standard
Optimized for 5V gate drive voltage (called Logic level)
Industry standard surface mount package
Capable of being wave soldered
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