Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 21 A, 30 V, 8-Pin SO-8 IRF7862TRPBF

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257-9324
Référence fabricant:
IRF7862TRPBF
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

21A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

SO-8

Series

HEXFET

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

4.5mΩ

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

2.5W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

30nC

Forward Voltage Vf

1V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Infineon IRF series is the 30V single n channel HEXFET power mosfet in a SO 8 package.

Optimized for broadest availability from distribution partners

Product qualification according to JEDEC standard

Optimized for 5V gate drive voltage (called Logic level)

Industry standard surface mount package

Capable of being wave soldered

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