Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 21 A, 25 V, 6-Pin PQFN IRFHS8242TRPBF

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257-5793
Référence fabricant:
IRFHS8242TRPBF
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

21A

Maximum Drain Source Voltage Vds

25V

Series

HEXFET

Package Type

PQFN

Mount Type

Surface

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance Rds

13mΩ

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

2.1W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

4.3nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Height

0.9mm

Length

2mm

Width

2 mm

Automotive Standard

No

Distrelec Product Id

304-40-531

The Infineon strongIRFET power MOSFET family is optimized for low RDS and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.

Low RDSon (< 58 m)

Low thermal resistance to PCB (<12°C/W)

100% Rg tested

Low profile (<09 mm)

Industry-standard pinout

Compatible with existing surface mount techniques

RoHS compliant containing no lead, no bromide and no halogen environmentally

MSL1, industrial qualification

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