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Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 100 A, 25 V Enhancement, 4-Pin PQFN IRFH5250TRPBF

N° de stock RS:: 222-4745
Référence fabricant:: IRFH5250TRPBF
Fabricant:: Infineon

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 100 A, 25 V Enhancement, 4-Pin PQFN IRFH5250TRPBF

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Unité	Prix par unité	le paquet*
10 - 40	1,36 €	13,60 €
50 - 90	1,29 €	12,90 €
100 - 240	1,237 €	12,37 €
250 - 490	1,183 €	11,83 €
500 +	1,103 €	11,03 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:: 222-4745
Référence fabricant:: IRFH5250TRPBF
Fabricant:: Infineon

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	100A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	25V
	Package Type	PQFN
	Series	HEXFET
	Mount Type	Surface
	Pin Count	4
	Maximum Drain Source Resistance Rds	1.15mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Power Dissipation Pd	3.6W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	52nC
	Forward Voltage Vf	1V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Width	4.75 mm
	Height	0.9mm
	Standards/Approvals	RoHS
	Length	6mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 100A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 25V
	Package Type PQFN
	Series HEXFET
	Mount Type Surface
	Pin Count 4
	Maximum Drain Source Resistance Rds 1.15mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Power Dissipation Pd 3.6W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 52nC
	Forward Voltage Vf 1V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Width 4.75 mm
	Height 0.9mm
	Standards/Approvals RoHS
	Length 6mm
	Automotive Standard No

Datasheet - IRFH5250TRPBF

The Infineon design of HEXFET® Power MOSFETs, also known as MOSFET transistors, stands for ’Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors’. MOSFETs are transistor devices which are controlled by a capacitor. The "Field-Effect" means that they are controlled by voltage. The aim of a MOSFET is to control the flow of the current passing through from the source to the drain terminals.

Low RDSon (<1.15 mΩ)

Low Thermal Resistance to PCB (<0.8°C/W)

100% Rg tested

Low Profile (<0.9 mm)

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 100 A, 25 V Enhancement, 4-Pin PQFN IRFH5250TRPBF

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