Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 21 A, 25 V, 6-Pin PQFN

Voir l’ensemble des MOSFETs
Offre groupée disponible

Sous-total (1 bobine de 4000 unités)*

972,00 €

(TVA exclue)

1 176,00 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • Plus 4 000 unité(s) expédiée(s) à partir du 05 janvier 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
4000 - 40000,243 €972,00 €
8000 +0,214 €856,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
257-5535
Référence fabricant:
IRFHS8242TRPBF
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

21A

Maximum Drain Source Voltage Vds

25V

Series

HEXFET

Package Type

PQFN

Mount Type

Surface

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance Rds

13mΩ

Forward Voltage Vf

1V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

4.3nC

Maximum Power Dissipation Pd

2.1W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

0.9mm

Length

2mm

Standards/Approvals

RoHS

Width

2 mm

Automotive Standard

No

The Infineon strongIRFET power MOSFET family is optimized for low RDS and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.

Low RDSon (< 58 m)

Low thermal resistance to PCB (<12°C/W)

100% Rg tested

Low profile (<09 mm)

Industry-standard pinout

Compatible with existing surface mount techniques

RoHS compliant containing no lead, no bromide and no halogen environmentally

MSL1, industrial qualification

Liens connexes