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Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET, -21 A, -30 V, 8-Pin PQFN IRFH9310TRPBF

N° de stock RS:: 257-5834
Référence fabricant:: IRFH9310TRPBF
Fabricant:: Infineon

Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET, -21 A, -30 V, 8-Pin PQFN IRFH9310TRPBF

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N° de stock RS:: 257-5834
Référence fabricant:: IRFH9310TRPBF
Fabricant:: Infineon

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id	-21A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	-30V
	Package Type	PQFN
	Series	HEXFET
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	3.7mΩ
	Maximum Power Dissipation Pd	3.1W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	58nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Forward Voltage Vf	-1.2V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	RoHS
	Length	5mm
	Height	0.39mm
	Width	6 mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id -21A
	Maximum Drain Source Voltage Vds -30V
	Package Type PQFN
	Series HEXFET
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 3.7mΩ
	Maximum Power Dissipation Pd 3.1W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 58nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Forward Voltage Vf -1.2V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals RoHS
	Length 5mm
	Height 0.39mm
	Width 6 mm
	Automotive Standard No

Datasheet - IRFH9310TRPBF

The Infineon strongIRFET power MOSFET family is optimized for low RDS and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.

Industry standard surface-mount power package

Product qualification according to JEDEC standard

Silicon optimized for applications switching below <100 kHz

Softer body-diode compared to previous silicon generation

Wide portfolio available

Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET, -21 A, -30 V, 8-Pin PQFN IRFH9310TRPBF

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