Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 21 A, 30 V PQFN IRFHM830TRPBF
- N° de stock RS:
- 257-9389
- Référence fabricant:
- IRFHM830TRPBF
- Fabricant:
- Infineon
Offre groupée disponible
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 paquet de 10 unités)*
8,12 €
(TVA exclue)
9,83 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €
En stock
- Plus 3 590 unité(s) expédiée(s) à partir du 04 juin 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 0,812 € | 8,12 € |
| 100 - 240 | 0,773 € | 7,73 € |
| 250 - 490 | 0,74 € | 7,40 € |
| 500 - 990 | 0,707 € | 7,07 € |
| 1000 + | 0,658 € | 6,58 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 257-9389
- Référence fabricant:
- IRFHM830TRPBF
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 21A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Series | HEXFET | |
| Package Type | PQFN | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 15mΩ | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 37W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 15nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 21A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Series HEXFET | ||
Package Type PQFN | ||
Mount Type Through Hole | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 15mΩ | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 37W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 15nC | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon IRFHM series is the 30V single n channel strong IRFET power mosfet in a PQFN 3.3x3.3 package. The strong IRFET power mosfet family is optimized for low RDS (on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including dc motors, battery management systems, inverters, and dc-dc converters.
Optimized for broadest availability from distribution partners
Product qualification according to JEDEC standard
Industry standard surface mount package
Potential alternative to high RDS (on) Super SO 8 package
Liens connexes
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 30 V PQFN
- Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET -30 V, 8-Pin PQFN
- Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET -30 V, 8-Pin PQFN IRFH9310TRPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 25 V, 6-Pin PQFN
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 30 V PQFN
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 30 V PQFN
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 25 V, 6-Pin PQFN IRFHS8242TRPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 30 V PQFN IRLHS6376TRPBF