Infineon BSZ Type N-Channel MOSFET, 212 A, 40 V N, 8-Pin PQFN

Voir l’ensemble des MOSFETs

Sous-total (1 bobine de 5000 unités)*

2 415,00 €

(TVA exclue)

2 920,00 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Commandes ci-dessous 75,00 € coût (TVA exclue) 5,95 €.
Dernier stock RS
  • 5 000 dernière(s) unité(s), prête(s) à l'envoi d'un autre centre de distribution
Unité
Prix par unité
la bobine*
5000 +0,483 €2 415,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
241-9704
Référence fabricant:
BSZ039N06NSATMA1
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

212A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Package Type

PQFN

Series

BSZ

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.7mΩ

Channel Mode

N

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1V

Maximum Power Dissipation Pd

81W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

80nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Infineon OptiMOS Power Transistor is a N channel MOSFET which is fully qualified according to JEDEC for Industrial Applications. It has Higher solder joint reliability due to enlarged source interconnection.

Optimized for high performance SMPS

Superior thermal resistance

Liens connexes

Recently viewed