Infineon BSZ Type N-Channel MOSFET, 212 A, 40 V N, 8-Pin PQFN BSZ018NE2LSATMA1
- N° de stock RS:
- 241-9697
- Référence fabricant:
- BSZ018NE2LSATMA1
- Fabricant:
- Infineon
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 1,31 € | 2,62 € |
| 10 - 18 | 1,235 € | 2,47 € |
| 20 - 48 | 1,13 € | 2,26 € |
| 50 - 98 | 0,995 € | 1,99 € |
| 100 + | 0,955 € | 1,91 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 241-9697
- Référence fabricant:
- BSZ018NE2LSATMA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
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Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 212A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Series | BSZ | |
| Package Type | PQFN | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.7mΩ | |
| Channel Mode | N | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 81W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 80nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 212A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Series BSZ | ||
Package Type PQFN | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.7mΩ | ||
Channel Mode N | ||
Maximum Power Dissipation Pd 81W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 80nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon OptiMOS Power MOSFET is a N channel MOSFET which has Pb-free lead plating. It is optimized for high performance Buck converter.
Very low on-resistance
Qualified according to JEDEC for target applications
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