Infineon BSZ Type N-Channel MOSFET, 212 A, 40 V N, 8-Pin PQFN

Voir l’ensemble des MOSFETs

Sous-total (1 bobine de 5000 unités)*

2 070,00 €

(TVA exclue)

2 505,00 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • Expédition à partir du 24 février 2027
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
5000 +0,414 €2 070,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
241-9702
Référence fabricant:
BSZ024N04LS6ATMA1
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

212A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Package Type

PQFN

Series

BSZ

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.7mΩ

Channel Mode

N

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

81W

Forward Voltage Vf

1V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

80nC

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Infineon OptiMOS 6 Power transistor is a N channel MOSFET which is optimized for synchronous application. It has Superior thermal resistance.

Halogen-free according to IEC61249-2-21

100% avalanche tested

Qualified according to JEDEC for target applications

Liens connexes