Infineon BSZ Type P-Channel MOSFET, 212 A, 40 V P, 8-Pin PQFN

Sous-total (1 bobine de 5000 unités)*

1 640,00 €

(TVA exclue)

1 985,00 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Commandes ci-dessous 75,00 € coût (TVA exclue) 5,95 €.
Temporairement en rupture de stock
  • Expédition à partir du 25 août 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
5000 +0,328 €1 640,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
250-0563
Référence fabricant:
BSZ15DC02KDHXTMA1
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Channel Type

Type P

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

212A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Package Type

PQFN

Series

BSZ

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

3.5mΩ

Channel Mode

P

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

81W

Forward Voltage Vf

1V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

80nC

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Infineon makes this Complementary P + N channel, Enhancement mode. It is avalanche rated and halogen-free. This device is OptiMOS 2 + OptiMOS P 2 Small Signal Transistor with Super Logic level (2.5V rated). It has common drain and it is Avalanche rated. The operating temperature is 175°C. It is 100% lead-free, Halogen-free.

Super Logic level (2.5V rated)

100% lead-free

Liens connexes