Infineon BSZ Type N-Channel MOSFET, 212 A, 40 V N, 8-Pin PQFN BSZ018NE2LSIATMA1

Voir l’ensemble des MOSFETs
Offre groupée disponible

Sous-total (1 paquet de 2 unités)*

2,60 €

(TVA exclue)

3,14 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Dernier stock RS
  • 5 000 dernière(s) unité(s), prête(s) à l'envoi d'un autre centre de distribution
Unité
Prix par unité
le paquet*
2 - 81,30 €2,60 €
10 - 181,23 €2,46 €
20 - 481,12 €2,24 €
50 - 980,995 €1,99 €
100 +0,955 €1,91 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
N° de stock RS:
241-9699
Référence fabricant:
BSZ018NE2LSIATMA1
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

212A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Series

BSZ

Package Type

PQFN

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.7mΩ

Channel Mode

N

Maximum Power Dissipation Pd

81W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

80nC

Forward Voltage Vf

1V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Infineon OptiMOS Power MOSFET is a N channel MOSFET which is Optimized for high performance Buck converter. It is 100% avalanche tested.

Monolithic integrated Schottky like diode

Halogen-free according to IEC61249-2-21

Liens connexes