Infineon BSZ Type N-Channel MOSFET, 212 A, 40 V N, 8-Pin PQFN BSZ021N04LS6ATMA1

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241-9701
Référence fabricant:
BSZ021N04LS6ATMA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

212A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Package Type

PQFN

Series

BSZ

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.7mΩ

Channel Mode

N

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

81W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

80nC

Forward Voltage Vf

1V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Infineon OptiMOS 6 Power Transistor is a N channel MOSFET which has very low on-resistance. It is qualified according to JEDEC for target applications.

Halogen-free according to IEC61249-2-21

100% avalanche tested

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