Infineon BSZ Type N-Channel MOSFET, 212 A, 40 V N, 8-Pin PQFN

Sous-total (1 bobine de 5000 unités)*

2 590,00 €

(TVA exclue)

3 135,00 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • Expédition à partir du 11 juin 2027
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
5000 +0,518 €2 590,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
241-9696
Référence fabricant:
BSZ018NE2LSATMA1
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

212A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Package Type

PQFN

Series

BSZ

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.7mΩ

Channel Mode

N

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

80nC

Forward Voltage Vf

1V

Maximum Power Dissipation Pd

81W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Infineon OptiMOS Power MOSFET is a N channel MOSFET which has Pb-free lead plating. It is optimized for high performance Buck converter.

Very low on-resistance

Qualified according to JEDEC for target applications

Liens connexes

Soyez le/la premier·ère à être informé de nos nouveautés produits et de nos offres spéciales.

adresse e-mail

Les données personnelles que vous nous fournissez en vous inscrivant à cette liste de diffusion seront traitées conformément à notre politique de confidentialité.